中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3DX-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。毫米波芯片封装难，中清航科三维集成技术，突破高频信号传输瓶颈。封装陶瓷管壳参数
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。江苏芯片陶瓷封装管壳厂商中清航科芯片封装工艺，引入数字孪生技术，实现全流程可视化管控。
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。
中清航科在芯片封装领域的优势-定制化服务：中清航科深知不同客户在芯片封装需求上存在差异，因此提供定制化的封装服务。公司专业团队会与客户深入沟通，充分了解客户的应用场景、性能要求以及成本预算等，然后为客户量身定制合适的芯片封装方案。无论是标准封装还是特殊定制封装，中清航科都能凭借自身实力，为客户打造独特的封装产品。中清航科在芯片封装领域的优势-质量管控：质量是中清航科的生命线。在芯片封装过程中，公司建立了严格的质量管控体系，从原材料采购到生产过程中的每一道工序，再到产品检测，都进行了多方位、多层次的质量监控。通过先进的检测设备和严格的检测标准，确保每一个封装芯片都符合高质量要求，为客户提供可靠的产品保障。医疗芯片求稳求精，中清航科封装方案，满足高可靠性与生物兼容性。
中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112GPAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。芯片封装测试环节关键，中清航科全项检测，确保出厂芯片零缺陷。江苏芯片堆叠封装
中清航科芯片封装技术，支持混合信号集成，降低不同电路间的干扰。封装陶瓷管壳参数
针对车规级芯片AEC-Q100认证痛点，中清航科建成零缺陷封装产线。通过铜柱凸点替代锡球焊接，结合环氧模塑料（EMC）三重防护层，使QFN封装产品在-40℃~150℃温度循环中通过3000次测试。目前已有17家Tier1供应商采用其AEC-QGrade1封装解决方案。中清航科多芯片重构晶圆（ReconstitutedWafer）技术，将不同尺寸芯片集成于300mm载板。通过动态贴装算法优化芯片排布，材料利用率提升至92%，较传统WLCSP降低成本28%。该方案已应用于物联网传感器批量生产，单月产能达500万颗。封装陶瓷管壳参数
