面向磁传感器制造，中清航科开发超导磁悬浮切割台。晶圆在强磁场（0.5T）下悬浮，消除机械接触应力，切割后磁畴结构畸变率<0.3%，灵敏度波动控制在±0.5%。中清航科电化学回收装置从切割废水中提取金/铜/锡等金属，纯度达99.95%。单条产线年回收贵金属价值超$80万，回收水符合SEMIF78标准，实现零废液排放。针对HJT电池脆弱电极层，中清航科采用热激光控制技术（LCT）。红外激光精确加热切割区至200℃，降低材料脆性，电池效率损失<0.1%，碎片率控制在0.2%以内。中清航科晶圆切割机支持物联网运维，故障响应速度提升60%。衢州晶圆切割
面对全球半导体设备供应链的不确定性，中清航科构建了多元化的供应链体系。与国内200余家质优供应商建立长期合作关系，关键部件实现多源供应，同时在各地建立备件中心，储备充足的易损件与中心部件，确保设备维修与升级时的备件及时供应，缩短设备停机时间。晶圆切割设备的能耗成本在长期运行中占比较大，中清航科通过能效优化设计，使设备的单位能耗降低至0.5kWh/片（12英寸晶圆），较行业平均水平降低35%。采用智能休眠技术，设备闲置时自动进入低功耗模式，进一步节约能源消耗，为客户降低长期运营成本。丽水碳化硅陶瓷晶圆切割划片厂第三代半导体切割中清航科提供全套解决方案，良率95%+。
半导体晶圆的制造过程制造过程始于一个大型单晶硅的生产（晶锭），制造方法包括直拉法与区熔法，这两种方法都涉及从高纯度硅熔池中控制硅晶体的生长。一旦晶锭生产出来，就需要用精密金刚石锯将其切成薄片状晶圆。随后晶圆被抛光以达到镜面般的光滑，确保在后续制造工艺中表面无缺陷。接着，晶圆会经历一系列复杂的制造步骤，包括光刻、蚀刻和掺杂，这些步骤在晶圆表面上形成晶体管、电阻、电容和互连的复杂图案。这些图案在多个层上形成，每一层在电子器件中都有特定的功能。制造过程完成后，晶圆经过晶圆切割分离出单个芯片，芯片会被封装并测试，集成到电子器件和系统中。
随着芯片轻薄化趋势，中清航科DBG（先切割后研磨）与SDBG（半切割后研磨）设备采用渐进式压力控制技术，切割阶段只切入晶圆1/3厚度，经背面研磨后自动分离。该方案将100μm以下晶圆碎片率降至0.01%，已应用于5G射频模块量产线。冷却液纯度直接影响切割良率。中清航科纳米级过滤系统可去除99.99%的0.1μm颗粒，配合自主研发的抗静电添加剂，减少硅屑附着造成的短路风险。智能温控模块维持液体粘度稳定，延长刀片寿命200小时以上呢。中清航科晶圆切割代工厂通过ISO14644洁净认证，量产经验足。
晶圆切割的工艺参数设置需要丰富的经验积累，中清航科开发的智能工艺推荐系统，基于千万级切割数据训练而成。只需输入晶圆材料、厚度、切割道宽等基本参数，系统就能自动生成比较好的切割方案，包括激光功率、切割速度、聚焦位置等关键参数，新手操作人员也能快速达到工程师的工艺水平，大幅降低技术门槛。半导体产业对设备的占地面积有着严格要求，中清航科采用紧凑型设计理念，将晶圆切割设备的占地面积控制在2平方米以内，较传统设备减少40%。在有限空间内，通过巧妙的结构布局实现全部功能集成，同时预留扩展接口，方便后续根据产能需求增加模块，满足不同规模生产车间的布局需求。中清航科推出晶圆切割应力模拟软件，提前预判崩边风险。南通12英寸半导体晶圆切割
切割粉尘在线监测中清航科传感器精度达0.01μm颗粒物检测。衢州晶圆切割
中清航科注重与科研机构的合作创新，与国内多所高校共建半导体切割技术联合实验室。围绕晶圆切割的前沿技术开展研究，如原子层切割、超高频激光切割等，已申请发明专利50余项，其中“一种基于飞秒激光的晶圆超精细切割方法”获得国家发明专利金奖，推动行业技术进步。晶圆切割设备的软件系统是其智能化的中心，中清航科自主开发了切割控制软件，具备友好的人机交互界面与强大的功能。支持多种格式的晶圆版图文件导入，可自动生成切割路径，同时提供离线编程功能，可在不影响设备运行的情况下完成新程序的编制与模拟，提高设备利用率。衢州晶圆切割
