SOI 高温芯片和普通硅芯片的差异是什么？

上海丙寅电子有限公司2026-06-06

差异在于制造工艺和长期耐温稳定性：SOI 芯片采用绝缘体上硅 CMOS 工艺，从根源上降低了高温环境下的漏电流问题，大幅提升高温工作稳定性。上海丙寅电子代理的霍尼韦尔 HT2000 系列 SOI 高温芯片采用 HTMOS 0.8μm 工艺，可实现 225℃连续稳定工作 5 年以上，150℃以下寿命明显提升，支持 40K~390K 门资源 ASIC 定制。在油气井下信号采集设备中，该系列芯片可大幅提升设备整体使用寿命，降低高温作业的维护成本。

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