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优众微纳的纳米压印技术在硅基光栅加工中，如何控制侧壁垂直度？

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江苏优众微纳半导体科技有限公司2026-07-22

通过优化刻蚀工艺参数（气体配比、射频功率、腔室压力），结合硬掩膜技术，硅基光栅的侧壁垂直度可控制在90°±0.5°。

本回答由 江苏优众微纳半导体科技有限公司 提供

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简介：江苏优众微纳半导体科技有限公司专注于纳米压印技术，提供半导体微纳器件解决方案。
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江苏优众微纳半导体科技有限公司

联系人： 刘娟

手   机： 19827086768

网   址： http://www.yz-micronano.com/about.html

地   址：
江苏省南通市通州区南通高新技术产业开发区双福路126号
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